专利摘要:

公开号:WO1990007506A1
申请号:PCT/JP1989/001293
申请日:1989-12-25
公开日:1990-07-12
发明作者:Kiyoshi Kawamura;Tomio Ota
申请人:Kowa Company, Ltd.;
IPC主号:C07D303-00
专利说明:
[0001] 明 細 書
[0002] グリ シジルエーテルの製造法
[0003] 技術分野
[0004] 本発明は、 医薬、 農薬等の化学薬品、 殊に ーア ドレナリ ン遮断作用 を有する医薬等の製品中間体と して有用なグリシジルエーテル類の新規 な製造法に関する。
[0005] 背景技術
[0006] 高血圧、 狭心症、 不整脈などの循環器系疾患の治療、 措置には ーァ ドレナリ ン遮断剤が広く使用されているが、 その多くは下記式
[0007] 式中、 A rはァリール基などの母核を表わし、 Rは低級アルキル基 などを表わす、
[0008] で示される構造を有するァリールォキシブロパノールァミ ンである。 上記式 (1)でしめされる化合物の製造法は種々報告されているが、 その 代表的な方法は下記反応式で示される方法である。
[0009] すなわち、 ァリールアル ル (2)にェボキシ化合物 (3)を作用させてグ リ シジルエーテル (4)を製造し、 次いでアミ ン (5)を作用させて目的とする ァリールォキシプロパノールァミ ン (1)を製造する方法である。
[0010] 上記反応において、 第 2工程であるグリ シジルエーテル (4)とアミ ン (5) との反応は、 一般に副反応も起こらず収率よく進行するので特に問題は ないが、 第 1工程のァリールアルコール ( とエポキシ化合物 (3)との反応 は、 特に光学活性体の製造においては光学純度の低下などの問題がある。 従来から化合物 (4)の製造法として以下に示す如きいくつかの方法が提案 されている。
[0011] (1)
[0012] Ar-OH 十
[0013]
[0014] 50〜60°C
[0015] [特公昭 6 1— 543 1 7号公報;特開昭 57 - 1 6798 1号公 報; J. Med. Chem. , 1 5(3), 260〜 266 ( 1 972 ) など 参照]
[0016] (2)
[0017] [J. Am. Chem. Soc., 1 0 1, 3666 ( 1 979 ) ; Chem. Pha rro. Bull., 35(9), 369 1 -3698 ( 1 987) など参照]
[0018] (3)[特開眧 6 0— 2 0 8 9 7 3号公報; Chem. Pharm. Bull., 3 5(9), 3 6 9 1〜 3 6 9 8 ( 1 9 8 7) 参照]
[0019]
[0020] [J. Am. Chem. Soc, 1 0 1 , 3 6 6 6 ( 1 9 7 9) 参照]
[0021] [WO 1 9 0/ 1 9 8 8参照]
[0022] (4)
[0023] [J. Med. Chem., 1 5(3), 2 6 0 - 2 6 6 ( 1 9 7 2 ) ;
[0024] J. Med. Chem. , 2 3 1 1 2 2〜 1 1 2 6 ( 1 9 8 0) 参照] これらの方法のうち、 上記 (1)及び (2)の方法は、 水酸化ナ ト リウム、 炭 酸力リゥム等の塩基の存在下に加熱する方法であるため、 原料のァリ一 ルアルコールが塩基に対して不安定な場合には好ましくない。 たとえば, 母核 ( A r ) にニ ト ロキシ基、 ァシルァ ミ ノ基、 アルキルア ミ ノ カルボ ニルアルコキシ基、 アルコキシカルポニル基等が存在しているァリ一ル アルコールを原料と して用いる場合には、 塩基によってこれらの基が脱 離もしくは加水分解されやすいという欠点がある。 また、 これらの方法 を光学活性体の製造に適用すると、 得られるグリシジルエーテルの光学 純度が低下するという欠点がある。
[0025] —方、 上記 (3)の方法は、 光学純度の低下は少ないが、 尿料として光学 活性なグリシジルスルホネート類を製造する必要があり、 工業的に不利 な方法である。
[0026] さらに、 上記 (4)の方法は収率が低く、 除去しにくい数種の副成物が生 じるとレ、う欠点力 sある。
[0027] 本発明は、 上記の如き欠点を有しておらず、 光学活性体の製造に適用 しても光学純度の低下が少なく、 工業的に有利に高収率でグリシジルェ 一テルを製造するための新規な方法を提供することを目的とするもので ある。
[0028] 発明の開示
[0029] 本発明によれば、 一般式
[0030] A - 0 H ( I )
[0031] 式中、 Aは適宜置換基を有していてもよいァリール基又は適宜置換 基を有していてもよいへテロアリール基を表わす
[0032] で示されるァリールアルコールを、 第四級アンモニゥム塩の存在下に、 ェピハロヒ ドリ ンと反応させ、 そして必要に応じて、 さらに塩基で処理 することを特徵とする一般式 ゾ
[0033] A-0 ( I ) 式中、 Aは前記の意味を有し、 *を付した炭素は不斉炭素であるこ とを表わす、 で示されるグリ シジルエーテルの製造法が提供される 本癸明の方法を反応式で示せば次のとおりである。
[0034] 反応式 1
[0035] 式中、 Xはハロゲン原子を表わす。
[0036] 本明細書において、 「低級」 なる語は、 この語が付された基又は化合 物の炭素数が 6以下、 好ましくは 4以下であることを意味する。 また、 「ハロゲン原子」 には、 フッ素、 塩素、 臭素及びヨウ素原子が包含され るが、 塩素、 臭素及びヨウ素原子が好適である。
[0037] 本発明の方法の第 1工程は、 式 ( I ) のァリールアルコールを、 第四 級アンモニゥム塩の存在下に、 式 (ΠΙ ) のェピハロヒ ドリ ン、 例えばェ ピクロルヒ ドリン、 ェビブロムヒ ドリン等と反応させる工程である。 本 反応は約 1 0 0 °Cまでの加温下に行なうこともできるが、 通常は室温前 後ないしそれ以下、 例えば約 0 °C〜約 4 0で、 好ましくは約 1 5 °C〜約 3 0 °Cの範囲内の比較的低い反応温度を用いることができ、 かかる反応 温度において本反応は大体 1 0 ~ 1 5 0時間程度で終らせることができ る。 また、 本反応は、 例えばクロ口ホルム、 齚酸ェチル、 テトラヒ ドロ フラ ン、 ジォキサン、 アセ ト ン等の有機溶媒中で行なうことができるが、 式 (m) のェピハ口ヒ ドリンを大過剰に用いて反応溶媒を兼ねさせるこ ともできる。
[0038] 式 ( I ) のァリールアルコールに対する式 (m) のェピハ口ヒ ドリン の使用割合は臨界的なものではなく、 ァリールアルコールの種類等に応 じて広範囲で変えることができるが、 一般には、 式 (I ) のァリールァ ルコール 1モルに対してェピハロヒ ドリ ンを 1 ~ 1 0モル、 好ましくは 2 - 5モルの割合で用いるのが好都合である。
[0039] 本発明の方法の特徵は、 式 ( I ) のァリールアルコールと式 (BI ) の ェピハ口ヒ ドリンとの反応を、 触媒としての第四級アンモニゥム塩の存 在下に行なう点にある。 使用しうる第四級アンモニゥム塩には、 一般式
[0040] ( V )
[0041] 式中、 R R 2、 R 3及び R 4は同一もしくは相異なり、 各々 1価の 炭化水素基を表わし、 或いは、 R R R 3及び R 4のうちのいず れか 2つは一緒になってそれらが結合している窒素原子と共に複素 環を形成していてもよく、
[0042] γはハロゲン原子を表わす、
[0043] で示されるものが包含される。 ここで、 「1価の炭化水素基」 は脂肪族 系、 脂環式系、 芳香族系又はこれらの組合わされた系のいずれのタイプ のものであってもよく、 例えば、 メチル、 ェチル、 n—プロピル、 イ ソ プロ ピノレ、 n —ブチソレ、 イ ソブチメレ、 sec—ブチメレ、 tert—フナソレ、 n —ペンチル、 n —へキシル基などの低級アルキル基 ; フエニル、 ト リル、 ナフチルなどの炭素数 6 ~ 1 0個のァリ一ル基 ;ベンジル、 フエネチル、 ナフチルメチル、 ナフチルェチルなどのァラルキル基;等を例示するこ とができる。
[0044] また、 R R R 3及び R 4のうちのいずれか 2つが一緒になってそ れらが結合している窒素原子と共に形成しうる複素環と しては、 例えば、 ピロリジン環、 ピぺリジン環、 モルホリン環等が挙げられる。
[0045] しかして、 本発明において使用しうる第四級アンモニゥム塩の具体例 と しては以下に述べるものが挙げられる。
[0046] テ トラメチルアンモニゥムクロライ ド、 テ トラエチルアンモニゥムク 口ライ ド、 テ トラブロ ピルァンモニゥムクロライ ド、 テ トラブチルァン モニゥ厶クロライ ド、 テ トラメチルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラエ チルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラプロ ピノレアンモニゥムブ口マイ ド、 - テ トラプチルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラメチルアンモニゥムアイ ォダイ ド、 テ トラエチルァンモニゥムアイォダイ ド、 テ トラプロ ピルァ ンモニゥムアイオダィ ド、 イ ソプロ ピル ト リ メチルアンモニゥムクロラ ィ ド、 イ ソブチル ト リェチルアンモニゥムブロマイ ド、 sec—ブチル ト リ メチルアンモニゥムアイオダィ ド、 ぺンチル ト リェチルアンモニゥム クロライ ド、 フエニル ト リ メチルアンモニゥムブロマイ ド、 ベンジル ト リ メチルアイオダィ ド、 ジメチルピロ リ ジニゥムクロラ ド、 ジメチルモ ルホリニゥムブ口マイ ド、 など。
[0047] 以上に述べた第四級アンモニゥム塩の中、 本発明において特に好適に 使用しうるものと しては、 前記式 (V ) における R t R 4が同一もしく ' " は相異なり、 各々低級アルキル基を表わすもの、 すなわち、 ァ 卜フ ^低 級アルキル) アンモニゥムハライ ドが挙げられ、 そして特に、 テ トラメ チノレアンモニゥムクロライ ド、 テ トラェチルアンモニゥムクロライ ド、 テ トラブロピノレアンモニゥムクロライ ド、 テ トラブチルアンモニゥムク i 口ライ ド、 テ 卜ラメチルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラエチルアンモ 二ゥムブ口マイ ド、 テ トラブロ ピルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラブ チルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラメチルアンモニゥムアイオダィ ド、 テ トラエチルアンモニゥムアイオダィ ド、 テ トラブロピルアンモニゥム アイオダイ ド、 テトラプチルアンモニゥムアイォダイ ド等が好適である。
[0048] 0 —方、 第四級アンモニゥム塩を構成するハロゲン (Y ) はフッ素、 塩 素、 臭素及びヨウ素のいずれであってもよいが、 殊に塩素、 臭素、 ヨウ 素が好適である。 このうちヨウ素が特に好ましい。
[0049] 本発明において第四級アンモニゥム塩は触媒量で使用され、 通常、 前 記式 ( I ) のァリ一ルアルコール 1 モルに対して第四級アンモニゥム塩 5 は 1/50〜1/2、 好ましくは 1/20~ 1/5モルの範囲内で使用することができ る。
[0050] 以上に述べた第 1工程の反応により、 目的生成物である前記 (E ) の グリ シジルエーテル及び式 (IV) のヒ ドロキシプロ ピルエーテルが生成 する。
[0051] 0 式 (E ) の化合物と式 (B の化合物の生成割合は、 反応条件や式 ( I ) の化合物の種類等に依存するので一概には言えないが、 一般的傾 向として、 式 (E ) の化合物/式 (B の化合物のモル比は 2/3〜; L/10 の範囲である。
[0052] かく して生成する式 (H ) のグリシジルエーテルは、 第 1工程の終了 後この段階で反応混合物から分離、 精製することができるが、 分離せず に、 引続き第 2工程に付すのが工業的に有利である。
[0053] すなわち、 第 1工程からの反応混合物に、 好ましくは例えばメタノー ル、 エタ ノール、 n —プロパノール、 イ ソプロノ ノール、 テ トラ ヒ ドロ フラン、 ジォキサン、 ァセ トニ 卜 リル、 ジメチルホルムアミ ド等の有機 溶媒及び塩基を加え、 室温前後又はそれ以下、 通常約 - 1 0 T!〜約 3 0 °C、 より好ましくは約 0〜約 2 0 °Cの範囲内の温度で反応を行なうこと ができる。 ここで用いうる塩基と しては、 例えば、 水酸化ナ ト リウム、 水酸化力 リ ゥム、 炭酸ナ ト リ ウム、 炭酸力 リ ゥム、 水素化ナト リ ウム等 の無機アル力 リ ; ナ ト リ ウムメチラー ト、 ナ ト リ ウムェチラー 卜などの アルコラー ト類; i,8 -ジァザビシクロ [ 5 . 4 . 0 ] ゥンデサー 7— ェン ; 2 , 4 , 6 —コ リ ジン、 2 , 6 —ルチジン、 ト リェチルァミ ンなど が挙げられる。 これら塩基の使用量は厳密に制限されるものではないが、 一般には、 出発原料に用いた式 ( I ) のァリールアルコール 1 モルに対 して 0 . 5 ~ 5モル、 好ましくは 1〜 3モルの範囲内で用いるのが適当 である。
[0054] 反応終了後、 生成する式 (π ) のグリシジルエーテルは、 それ自体既 知の方法、 例えば、 抽出、 結晶化、 クロマ トグラフィー、 濾過、 等の方 法により、 反応混合物から分離、 精製することができる。
[0055] 本発明の方法において出発原料と して使用される前記式 ( I ) の化合 物において、 ァリ一ル基は単環もしくは多環のいずれであってもよく、 また脂環との縮合環であってもよ く、 例えば、 フエニル、 ナフチル、 テ 卜ラ ヒ ドロナフチル、 イ ンデニル、 イ ンダニル基等が挙げられる。 また、 ヘテロァリール基は、 N、 S及び 0より選ばれる少なく とも 1個、 好ま しくは 1〜 3個のへテロ厚子を芳香環中に含有する単環もしくは ^環の 芳香複素環式基であり、 例えば、 イ ン ドリル、 力ルバゾリル、 1, 3 , 5 —チアジアゾリル、 3 , 4—ジヒ ドロベンゾピラニル、 クマリル、 カル ボスチリル、 ベンゾフラ二ル基等が挙げられる。
[0056] これらァリール基及びへテロアリ一ル基は適宜置換基 有すること力 でき、 その置換基の例には、 メチル、 ェチル、 n —プロピル、 イ ソプロ ピルなどの低級アルキル基;ァリルの如き低級アルケニル基; メ 卜キシ、 エ トキシ、 n —ブロポキシ、 イ ソブロポキシ、 n —ブトキシ、 t —ブト キシなどの低級アルコキシ基; ァセチル、 ブロピオニル、 ブチロイルな どの低級アルカノ ィル基; メ トキシェチル、 エ トキシェチルなどの低級 アルコキシ低級アルキル基; メ トキシカジレポニル、 エトキシカルボニル などの低級アルコキシカルボニル基; カルパモイルメチル、 力ルバモイ ルェチルなどのカルパモイル低級アルキル基; メチルァミノカルボニル ァミ ノ、 ジメチルァミ ノカルボニルァミ ノ、 ジェチルァミ ノカルポニル ァミノなどのモノ一又はジ (低級アルキル) ァミノカルボニルァミノ基 ;水酸基、 シァノ基、 ニトロキシ基; ァセチルァミ ノ、 ブロピオニルァ ミ ノなどの低級アル力ノ ィルァミ ノ基; メチルァミ ノカルボニルメ トキ シ、 ェチルァミ ノカルボニルメ トキシ、 ジメチルァミ ノカルポニルエ ト キシなどのモノ ー又はジ (低級アルキル) ァミ ノカルボニル低級アルコ キシ基;モルホリ ノ基等が挙げられ、 ァリール基及びへテロアリール基 はこれら置換基の 1つ又は 2つ以上を有することができる。 そのように 置換されたァリール基又はへテロァリール基の具体例を示せば次のとお りである。 sod
[0057]
[0058]
[0059] 以上に述べた本癸明の方法は、 ァリールアルコールとェピハロヒ ドリ ンとの反応 (第 1工程) において、 従来法の如く水酸化ナトリウムや炭 酸カリ ウム等の塩基触媒を使用する必要がなく、 また、 反応温度も室温 前後又はそれ以下と穏和な条件下で行なうことができるので、 望ましく ない副反応が殆んど起ず、 光学的純度の低下も極めて少なく、 工業的に 極めて有利である。 しかも、 第 2工程における塩基による処理も、 室温 前後又はそれ以下の比較的低温で行なうことができるので、 塩基の使用 による副反応の生起という弊害も極めて少ない。
[0060] かく して、 本発明の方法によれば、 式 (m) のェピハ口ヒ ドリンとし て光学活性体を使用し、 且つ場合により式 (I ) のァリールアルコール として光学活性体を用いることにより、 光学活性の式 (E ) の目的化合 物を高い光学的純度で得ることができる。
[0061] 本発明の方法においては、 ffi発原枓のァリールアルコールの芳香核に 結合する置換基等の立体配置は実質的にそのまま保持され、 そしてェピ ハロヒ ドリンの立体配置は反転する。 従って、 式 ( I ) のァリールアル コールを (R) —ェピハロヒ ドリンと反応させること (S) —型の式 (E) の化合物が得られ、 また、 式 ( I ) のァリールアルコールを (S) 一ェピハ口 ヒ ドリ ンと反応させると (R) —型の式 ( Π ) の化合物が得 られる。
[0062] なお、 本発明の方法において使用される光学活性のェピハロヒ ドリン は、 例えば特開昭 6 1 - 1 3 2 1 9 6号公報や特開昭 6 2 - 4 0 2 9 8 号公報等に記載されている方法に従い、 微生物学的に容易に製造するこ とができる。
[0063] なお、 最終有用化合物である前記式 (1)の化合物を製造するに際しては、 本発明の製造方法の第 1工程及び第 2工程に加え、 ァミンを反応させる 工程を 1 ボッ ト反応で行うことができる。
[0064] 実施例
[0065] 以下、 実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
[0066] 実施例 1
[0067] 3 , 4 -ジヒ ドロー 8— (2 , 3—エポキシ) プロボキシー 3—二 トロキ シ - 2 H - 1 -ベンゾピランの製造:
[0068] 3 , 4—ジヒ ドロ一 8—ヒ ドロキシー 3—二 トロキシ一 2 H— 1 —ベ ンゾピラン 4.0 及びテ トラメチルァンモニゥムクロライ ド 2 0 7π^ をェピクロロヒ ドリ ン 5.2 に加え、 室温で 4 8時間撹拌した。 反応 後、 水酸化ナ ト リ ウム 1 .2 のメ タノール 6 Οιηβ溶液を室温で撹拌下 に加え、 さらに 2時間撹拌した。 反応液に濃硫酸 0.3 のメタ ノール 4πιβ溶液を加え、 5分間撹拌したのち、 溶媒を留去した。 残渣にクロ口 ホルム及び水を加えて抽出し、 クロ口ホルム層を分取して、 水洗後乾燥 した。 クロ口ホルムを留去し、 残渣にへキサン 3 OtnGを加えて析出物を 濾取すると、 無色結晶性粉末として目的物 4.9 (収率 9 6.8%) 得られた。
[0069] — NMR値: SCDC13, ppm
[0070] 2·60~3·63(5Η, m, -CH-CHz, C4-H)
[0071] 3.97〜4.27(2H, m, -0-CH2-CH-CH2)
[0072] 5.27〜5.63(1H, m, C3-H)
[0073] 6.57~7.00(3H, m, 芳香族 H)
[0074] このものの物理化学的性質は、 特開昭 5 7 - 1 6 7 9 8 1号公報に記 載の同一化合物のものと一致した。
[0075] 実施例 2
[0076] (2' S),(3 R) — 3,4ージヒ ドロ一 8— (2,3—エポキシ) プロボ キシー 3—二トロキシー 2 H— 1—ベンゾピランの製造:
[0077] (3 R) — 3,4ージヒ ドロー 8—ヒ ドロキシー 3—二 卜口キシー 2
[0078] H— 1 —ベンゾピラン 70 0 m 及びテ トラメチルアンモニゥムク口ラ ィ ド 7 ひ m を ( R ) —ェピクロロ ヒ ドリ ン (光学純度 9 8 %ee以上) 9 2 0 に加え、室温で 48時間撹拌した。 反応液に水酸化ナト リ ウム 240 のメタノール 1 2 ιηβ溶液を室温で撹拌下に加え、 さらに 2時 間撹拌した。 反応液に酢酸 1 2 0 m を加えて 5分間撹拌したのち、 溶 媒を留去した。 残渣にクロ口ホルム及び水を加えて抽出し、 クロ口ホル ム層を分取して乾燥した。 クロ口ホルムを留去し、 残渣をシリカゲル力 ラムクロマ トグラフィー (溶媒: クロロホルム) で精製したのち、 ァセ トン—へキサンより再結晶して無色針状晶の目的物 7 9 4 (収率 8 9.6 %) を得た。
[0079] 融点: 1 2 7〜 1 2 8 °c
[0080] 比旋光度: [び] 2 D s + 2 4.7 ° ( c = 3、 C H C 1 3)
[0081] I R値及び1 H— NMR値は、 Chem. Pharm. Bull. 35(9)3 6 9 1〜 3 6 9 8 ( 1 9 8 7) に記載の同一化合物のものと一致レた。
[0082] 実施例 3
[0083] (2' S),(3 R) — 3 , 4—ジヒ ドロー 8— (2 , 3—エポキシ) プロボ キシー 3—二 トロキシ一 H— 1 一ベンゾピランの製造:
[0084] ( 3 R) 一 3, 4ージヒ ドロー 8—ヒ ドロキシー 3—二 トロキシ一 2 H— 1 —ベンゾピラン、 (R) —ェピクロロ ヒ ドリ ン及びテ トラメチル ア ンモニゥムクロライ ドを用いて、 実施例 2と同様に反応、 処理して目 的物を得た。
[0085] 収率: 8 9 %
[0086] 融点: 1 3 6 ~ 1 3 8.5。C
[0087] 比旋光度: ["] — 3 0.5。 (c = 3、 C HC l 3)
[0088] 実施例 4
[0089] ( 2 ' S ),( 3 R ) — 3, 4ージヒ ドロー 8— ( 2, 3—エポキシ) プロボ キシー 3 -二 トロキシ— 2 H— 1 一ベンゾピランの製造:
[0090] ( 3 R) 一 3 , 4—ジヒ ドロ一 8— ヒ ドロキシ一 3—二 トロキシ一 2 H— 1 —ベンゾピラン、 (S) —ェピクロロ ヒ ドリ ン (光学純度 9 8 % ee以上)及びテ 卜ラメチルァンモニゥムクロライ ドを用いて、 実施例 2 と同様に反応、 処理して目的物を得た。
[0091] 収率: 9 1 .0 %
[0092] 融点: 1 3 6 ~ 1 3 8 °C 比旋光度: [σ] 5 + 3 1 -3° (c = 3、 CHC l 3)
[0093] 実施例 5
[0094] (2'R),(3 S) — 3, 4—ジヒ ドロー 8— (2 , 3—エポキシ) プロボ キシー 3—二 トロ一 2 H— 1—ベンゾピラン ^_製造:
[0095] (3 S) — 3 , 4—ジヒ ドロ一 8—ヒ ドロキシ一 3—ニ トロキシー 2
[0096] H— 1 一べンゾピラン、 (S) —ェピクロロヒ ドリ ン及びテトラメチル アンモニゥムクロライ ドを用いて、 実施例 2と同様に反応、 処理して目 的物を得た。
[0097] 収率: 9 1 .5 %
[0098] 融点: 1 26〜 1 27。C ,
[0099] 比旋光度: [な] — 24.2。 (c = 3、 CHC l 3)
[0100] 実施例 6
[0101] (2' S)ズ 3 R) —二プラジロール [ (2' S) , (3 R) — 3 , 4—ジ ヒ π— 8— (3一イ ソプロピルァミ ノ 一 2ニヒ ドロキシ) プロポキシ — 3—ニトロキシー 2 Η- 1—ベンゾピラン] の製造:
[0102] (3 R) — 3, 4ージヒ ドロー 8—ヒ ドロキシー 3—二 トロキシー 2 H— 1 —ベンゾピラン 4 0 0 m 、 ( ) ーェピクロロヒ ドリ ン 528 $ 及びテ 卜ラメチルァ モニゥムブロマイ ド 7 2 m を用いて、 実施 例 2と同様に反応、 処理して (2' S),(3 R) — 3, 4ージヒ ドロー 8 一 (2 , 3—エポキシ) プロポキシ一 3—二 トロキシー 2 H— 1一ベン ゾピランを得た。 このものを精製することなく、 メタ ノール 1 0 ιπβに溶 解し、 イソプロピルァミ ン 5.2πώを加えて 7 5。Cで 1時間撹拌した。 反応液を常法によって処理して得られた粗結晶をシリ力ゲルカラムクロ マ トグラフィー [溶媒: ク口口ホルム一アンモニアのメタノール溶液 ( 1 0 % w/w) ( 1 5 : 1 ) 〗 で精製して目的物 5 5 0 πα^ (^収率
[0103] 8 8.9 %) を得た。
[0104] I R値: vK, cm"11 6 2 0、 1 2 7 8
[0105] - NMR値: δ CDC13、 ppm
[0106] 1.07C6H, d, J=6Hz, CH3)
[0107] 2.20〜3.44(7H, ra, C H, -CH2NHCH, OH)
[0108] 3.88〜4.12(3H, ra, -0CH2CH)
[0109] " 4.12〜4.52(2H, m, C2-H)
[0110] 3.52〜5.52(1H, m, C3-H)
[0111] o 6.56〜6.92(3H, ra, 芳香族 H)
[0112] I R値及び1 H— NMR値は Chem. Pharm. Bull. 35(9)369 1〜 36
[0113] 9 8 ( 1 9 8 7 ) に記載の同一化合物のものと一致した。
[0114] 産業上の利用可能性
[0115] 本発明の方法によれば、 前述したとおり、 医薬品等の製造中間体とし ■> - て有用な前記式 (Π ) で示されるグリシジルエーテルを、 簡単な操作に より、 高い光学純度で製造することができるので、 工業.上極めて有利で ある。
权利要求:
Claims請 求 の 範 囲
1 . 一般式
A - O H ( I ) 式中、 Aは適宜置換基を有していてもよいァリール基又は適宜置換 » 基を有していてもよいへテロアリール基を表わす
で示されるァリールアルコールを、 第四級アンモニゥム塩の存在下に、 ェピハロヒ ドリ ンと反応させ、 そして必要に応じて、 さらに塩基で処理 することを特徵とする一般式 式中、 Aは前記の意味を有し、 *を付した炭素は不斉炭素である とを表わす、
で示されるグリシジルエーテルの製造法。
2 · 第四級アンモニゥム塩が一般式
( V ) 0 式中、 R R 2、 R 3及び R 4は同一もしくは相異なり、 各々低級ァ ルキル基、 ァリール基又はァラルキル基を表わし、 Yはハロゲン原 子を表わす、
で示される請求項 1記載の方法。
3 . 第四級アンモニゥム塩がテトラ (低級アルキル) アンモニゥムハ ライ ドである請求項 2記載の方法。
4 . 第四級ァンモニゥム塩がテ トラメチルアンモニゥムクロライ ド、 テ 卜ラエチルアンモニゥムクロライ ド、 テ トラプロ ピルァンモニゥムク 口ライ ド、 テ トラプチルァンモニゥムクロライ ド、 テ トラメチルアンモ ニゥムブロマイ ド、 テ トラェチルアンモニゥムブロマイ ド、 テ 卜ラブロ ピルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラプチルアンモニゥムブロマイ ド、 テ トラメチルアンモニゥムアイォダイ ド、 テ トラプロ ピルアンモニゥム アイオダィ ド及びテ トラプチルアンモニゥムアイオダィ ドより選ばれる 請求項 3記載の方法。
0 5 . 第四級ァンモニゥム塩を、 式 ( I ) のァリールアルコール 1 モル に対して 1/50〜1/2モルの範囲内で使用する請求項 1記載の方法。
6 . 式 ( I ) のァリールアルコールとェピハロ ヒ ドリ ンとの反応を約 0 °C〜約 4 0。Cの範囲内の温度で行なう請求項 1記載の方法。
7 . Aがフエニル、 ナフチル、 テ トラヒ ドロナフチル、 イ ンデニル、 i イ ンダニル、 イ ン ドリル、 カルバゾリル、 1 , 3 , 5 —チアジアゾリル又 は 3 , 4—ジヒ ドロべンゾピラニル基であり、 これらの基は適宜、 低級 アルキル、 低級アルケニル、 低級アルコキシ、 低級アルカノ ィル、 低級 アルコキシ低級アルキル、 低級アルコキシ力ルポニル、 力ルバモイル低 級アルキル、 モノ—又はジ (低級アルキル) ァミ ノカルボニルァミ ノ、 水酸基、 シァノ、 ニ ト ロキシ、 低級アル力ノィルァミ ノ、 モノ一又はジ (低級アルキル) ァミ ノ カルポニル低級アルコキシ及びモルホリ ノ基よ り選ばれる 1つ又は 2つ以上の置換基で置換され'ていてもよい請求項 1 記載の方法。
8 - 3, 4 ージヒ ドロー 8 — ヒ ドロキシー 3 トロキシ一 2 H— 1 —ベンゾピランを用いて、 3 , 4—ジヒ ドロー 8— ( 2 , 3—エポキシ:) プロポキシ一 3—ニトロキシ一 2 H— 1 —ベンゾピランを製造する請求 項 1記載の方法。
9. (R) —ェピハ口 ヒ ドリンを用いて (2 S) —グリ シジルエーテ ルを製造する請求項 1記載の方法。
1 0. (S) —ェピハロ ヒ ドリ ンを用いて ( 2 R) —グリ シジルエー テルを製造する請求項 1記載の方法。
1 1 - (3 R) 一 3, 4ージヒ ドロー 8—ヒ ド口キシー 3—ニ トロキ シ一 2 Η— 1—べンゾピランを ( R ) —ェピハロ ヒ ドリ ンと反応させて、 (2'S) , (3 R) — 3, 4—ジヒ ドロ一 8— (2 ,3—エポキシ) ブ 口ポキシ一 3—二トロキシ一 2H— 1一べンゾビランを製造する請求項 1に記載の方法。
1 2. (3 S) — 3 , 4—ジヒ ドロー 8—ヒ ドロキシー 3—ニ トロキ シ一 2 H— 1 一べンゾピランを (R ) —ェピハロヒ ドリンと反応させて、 C2' S) , (3 S) — 3,4ージヒ ドロー 8— (2,3—エポキシ) ブ 口ポキシ一 3—二トロキシ一 2 H— 1一べンゾピランを製造する請求項 1記載の方法。
1 3. (3 R) — 3, 4—ジヒ ドロー 8—ヒ ド Pキシ一 3—二 トロキ シー 2 H - 1 —べンゾピランを、 ( S ) —ェピハロ ヒ ドリ ンと反応させ て、 (2' R) , (3 R) — 3, 4ージヒ ドロ一 8— (2 ,3—エポキシ) プロボキシー 3—ニトロキシ一 2 H— 1一ベンゾピランを製造する請求 項 1記載の方法。
1 4 - (3 S) — 3 , 4—ジヒ ドロー 8—ヒ ドロキシー 3—ニ トロキ シ一 2 H— 1一ベンゾピランを、 (S) —ェピハロ ヒ ドリ ンと反応させ て、 (2'R) , (3 S) — 3 , 4—ジヒ ドロー 8— (2, 3—エポキシ) プロポキシ— 3—二 トロキシー 2 Η— 1 —ベンゾピランを製造する請求 項 1記載の方法。
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